半導體材料矽片回收中疑惑什麽叫半導體材料（liào）光伏材料

        矽片回收（shōu）中半導體材料光伏（fú）材料是關鍵的原素半導體（tǐ）器件，包含矽多晶、矽單晶、矽單晶、矽外延片、非晶矽（guī）塑料薄膜等，可立即或間接性用以製取集成電路工藝。

        矽為元素表中Ⅳ族原素。在地球內（nèi）部中關鍵以二氧化（huà）矽和（hé）鋁矽酸鹽方式存有。豐度為27.7%，僅次氧。矽的原子量為28.05，25℃下相對（duì）密度為2.329g/cm3，具備深灰色金屬質感，較脆，強度6.5Cohs，稍小於方解石。溶點1410℃，在溶（róng）點時容積縮水率9.5%。常溫狀態矽表層遮蓋一層（céng）特薄（báo）空氣氧化（huà）層，物理性質不開（kāi）朗。高（gāo）溫下與氧反映轉化成不（bú）定形二氧化矽層，在元器件加工工藝中常見半作掩蔽層和隔離層。矽不溶解酸（suān），但溶解HNO3。和HF的混和水溶液中，常見這類水溶液作浸蝕液。矽稍溶解升（shēng）溫的堿溶液中，還可（kě）選用低溫等（děng）離子浸蝕（shí）技術性來浸（jìn）蝕矽。

        矽有結晶體態（tài）和非晶。常溫狀態矽單晶（jīng）電極化指數11.7，對光線具備高的發射率(n=3.42)，反射麵損害（hài）很大，塗以適度減反射膜可進一步提（tí）高透過率。矽中的殘渣會造成光的（de）消化吸收，氧和碳的消化（huà）吸收帶在室內溫度下各自坐（zuò）落（luò）於1107和607cm-1處。

        結晶體態光伏（fú）材料的製（zhì）取方式一般是先將矽石(SiO2)在（zài）加熱爐中高溫複原為冶金工業級矽（guī）(純淨度95%～99%)，隨後將其（qí）變成矽的鹵化物或氫（qīng）化物，經純化，以製取純淨度很高的矽多晶。包含矽多晶的西門子（zǐ）PLC法製取、矽多晶的矽烷法製取。在生產製造大部分集成電路工藝時，用的光伏材料並不是矽多晶矽片回收，隻是高一致性的矽單晶。一般用直拉法或區（qū）熔法（fǎ）由矽多晶製取矽單晶。

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